圖文詳情
配置與優(yōu)勢:
樣品尺寸最大可達直徑12寸
單片/多片設計
鍍膜重復性/均勻性:士5%
最多可配置10路氣體,根據(jù)沉積材料確定
蝶閥全自動控壓
樣品臺加熱可達到400°C,低溫可達到-20°C
直接和間接等離子( CCP/ICP )
等離子體自清潔設計
選配:
分子泵抽氣,自動控壓
升級Load-lock
等離子體自清潔升級
集成光學檢測系統(tǒng)
集成于Cluster系統(tǒng)
應用:
非晶硅鍍膜
半導體器件絕緣層
薄膜封裝
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